單步工藝代工
單步工藝代工
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光刻工藝
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接觸式光刻
最小圖形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
步進(jìn)式光刻
最小圖形尺寸：0.5μm，套刻精度：±0.1μm
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金屬薄膜工藝
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金屬蒸鍍
Al、Ti、Pt、Au、Ag、Ni、C、Ge、SiO2/TiO2、ITO
金屬濺射
Ti、Cu、TiW、Au、Al、Ni、Ge
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介質(zhì)薄膜工藝
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PECVD沉積
SiNx、SiO2
ALD沉積
Al2O3、AlN
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蝕刻工藝
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干法刻蝕
GaAS、SiNx、SiO2、InP
濕法刻蝕
Cr腐蝕、BOE腐蝕、金蝕刻等
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化學(xué)工藝
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有機(jī)bench
可支持去膠、剝離、有機(jī)清洗工藝
酸bench
可支持酸腐蝕、酸處理、堿處理等工藝
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減薄工藝
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鍵合解鍵合工藝
max temp：200℃，極限真空：-710mmHg，升溫速率≥10℃/min
Si/GaAs WAFER4英寸和6英寸
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激光劃片
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可切割GaAs晶圓
355nm激光光源，最大功率15W。適用于6寸以下Wafer
1、滿足2-6寸wafer切割
2、晶圓厚度＜ 500um
3、切深精度：+/-5um，直線度＜10um，崩邊崩角＜15um