940nm VCSEL（單結外延）陣列工藝平臺：
l 高深度&高垂直角度的Mesa蝕刻工藝
l 高均勻性的濕法氧化工藝
l 可進行高深寬比深孔填充的電鍍工藝
l 陣列20ea~400ea，一字排布或者方形排布
l 在特定外延及芯片結構設計下，工作電流下PCE大于40%
940nm VCSEL（單結外延）陣列工藝平臺：
l 高深度&高垂直角度的Mesa蝕刻工藝
l 高均勻性的濕法氧化工藝
l 可進行高深寬比深孔填充的電鍍工藝
l 陣列20ea~400ea，一字排布或者方形排布
l 在特定外延及芯片結構設計下，工作電流下PCE大于40%